Pwopòsyon SiC koryas, mwayen ak amann yo ta dwe 5:1:4. Nwa SiC jeneralman itilize kòm materyèl bwit pou fabrike brik carbure Silisyòm, ak konpozisyon chimik sa a: SiC 98.0%, gratis C 0.5%, Fe 0.2%, ak gratis SiO 2 0.6%. Pwosesis fabrikasyon an varye selon metòd lyezon an. Yon pwosesis senplifye pou diferan metòd lyezon se jan sa a:
Silisyòm nitrure-brik carbure Silisyòm lye: Yon kò vèt ki fòme ak patikil carbure Silisyòm koryas, mwayen ak amann ak poud Silisyòm amann pwodui nan 1370 degre nan gaz N2 pi, sa ki lakòz yon nitrure Silisyòm-lye brik carbure Silisyòm ak yon eskèlèt 26 -SiC ak 26 ak {34{6}} matris la. Yon ti kantite rezidyèl Silisyòm ak SiO2N2 rete nan matris la; kontni relatif nan eleman sa yo varye selon plant fabrikasyon an.
Brik carbure Silisyòm mare: SiC, poud Silisyòm, ak poud kabòn yo melanje nan yon sèten rapò, fòme, epi tire nan yon atmosfè rediksyon nan 1400 degre. Nan pifò ka yo, yo itilize kabòn embedding ak tire. Pandan tire, yo pwodui yon kalite brik SiC ki gen yon lyezon SiC- -Si3N4, ki gen ladann yon kad SiC- -SiC ak yon matris SiC-amann. SiC- -SiC a fòme pandan tire nan reyaksyon an nan poud silica amann ak poud kabòn amann; pwodui sa a tou gen ti kantite rezidyèl Silisyòm ak kabòn.
Silisyòm oxynitride lye Silisyòm carbure brik: Nan fòmilasyon sa a ki kalite brik, pwopòsyon an nan poud silica amann se mwens pase sa yo ki nan carbure Silisyòm.
